#BSM10GD120DN2 ユーペック BSM10GD120DN2 新品 IGBT: 10A1200V;IGBT モジュール 1200V 10A FL BRIDGE、BSM10GD120DN2 写真、BSM10GD120DN2 価格、#BSM10GD120DN2 サプライヤー
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM10GD120DN2
メーカー：インフィニオン
製品カテゴリー：IGBTモジュール
RoHS指令：いいえ
ブランド：インフィニオンテクノロジーズ
製品：IGBTシリコンモジュール
構成：XNUMX進数
コレクター-エミッター 電圧 VCEO最大：1200 V
コレクター-エミッターの飽和 電圧：2.7 V
25 Cでの連続コレクタ電流：15 A
ゲート-エミッタリーク電流：120 nA
Pd –消費電力：80 W
パッケージ/ケース：EconoPACK 2
最大動作温度：+ 150 C
包装：バルク
最大ゲートエミッター 電圧：+/- 20 V
最低動作温度：– 40 C
取り付けスタイル：ネジ
ファクトリーパック数量：10
IGBT：10A1200V; IGBTモジュール1200V10AFLブリッジ
Shunlongweiは、出荷前にすべてのBSM10GD120DN2を検査し、すべてのBSM10GD120DN2を6か月の保証付きで検査しました。