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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM10GD120DN2
Fabriquant: Infineon
Catégorie de produit: Modules IGBT
RoHS: Non
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: hexadécimal
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 15 A
Courant de fuite porte-émetteur: 120 nA
Pd - Dissipation de puissance: 80 W
Emballage/Boîte : EconoPACK 2
Température de fonctionnement maximale: + 150 C
Emballage: Bulk
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Quantité par emballage d'usine: 10
IGBT: 10A1200V; Modules IGBT 1200V 10A FL BRIDGE
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