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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM10GD120DN2
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Módulos IGBT
RoHS: No se
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Hexagonal
Colector- Emisor voltaje VCEO Máx .: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.7 V
Corriente continua de colector a 25 C: 15 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 120 nA
Pd - Disipación de energía: 80 W
Paquete / Estuche: EconoPACK 2
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Embalaje: Bulk
Emisor de puerta máximo voltaje: +/- 20V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 C
Estilo de montaje: tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
IGBT: 10A1200V; Módulos IGBT 1200V 10A FL BRIDGE
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