#BSM10GD120DN2 Eupec BSM10GD120DN2 Mới IGBT: 10A1200V;Module IGBT 1200V 10A FL BRIDGE , hình ảnh BSM10GD120DN2, giá BSM10GD120DN2, #BSM10GD120DN2 nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM10GD120DN2
Nhà sản xuất: Infineon
Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT
RoHS: Không
Thương hiệu: Infineon Technologies
Sản phẩm: Mô-đun Silicon IGBT
Cấu hình: Hex
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 2.7 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 15 A
Gate-Emitter Rò rỉ hiện tại: 120 nA
Pd - Công suất tiêu tán: 80 W
Gói / Trường hợp: EconoPACK 2
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C
Bao bì: Số lượng lớn
Bộ phát cổng tối đa Vôn: +/- 20V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Kiểu lắp: Vít
Số lượng gói nhà máy: 10
IGBT: 10A1200V; Mô-đun IGBT 1200V 10A FL CẦU
Shunlongwei đã kiểm tra mọi BSM10GD120DN2 trước khi xuất xưởng, tất cả BSM10GD120DN2 với bảo hành 6 tháng.