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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM10GD120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT
RoHS: Não
Marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Hex
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.7 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 15 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 120 nA
Pd - Dissipação de energia: 80 W
Pacote / Estojo: EconoPACK 2
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Embalagem: Bulk
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
IGBT: 10A1200V; Módulos IGBT 1200V 10A FL BRIDGE
Shunlongwei inspecionado todos os BSM10GD120DN2 antes do envio, todos os BSM10GD120DN2 com 6 meses de garantia.