#FS75R12KT3G EUPEC FS75R12KT3G Neu IGBT Module N-CH 1.2KV 100A, FS75R12KT3G Bilder, FS75R12KT3G Preis, #FS75R12KT3G Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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FS75R12KT3G
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.15 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 100 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Paket / Koffer: Econo 3
Verpackung: Bulk
Marke: Infineon Technologies
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Pd - Verlustleistung: 455 W.
IGBT-Module N-CH 1.2KV 100A
Shunlongwei prüfte jeden FS75R12KT3G vor dem Versand, alle FS75R12KT3G mit 6 Monaten Garantie.