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Email: sales@shunlongwei.com
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FS75R12KT3G
Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Hex
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.15 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 100 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Pacote / Case: Econo 3
Embalagem: Bulk
Marca: Infineon Technologies
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Pd - Dissipação de energia: 455 W
Módulos IGBT N-CH 1.2KV 100A
Shunlongwei inspecionado todos os FS75R12KT3G antes do envio, todos os FS75R12KT3G com 6 meses de garantia.