#FS75R12KT3G EUPEC FS75R12KT3G ใหม่ IGBT โมดูล N-CH 1.2KV 100A, รูปภาพ FS75R12KT3G, ราคา FS75R12KT3G, #FS75R12KT3G
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
FS75R12KT3G
ผู้ผลิต: Infineon
หมวดหมู่สินค้า: โมดูล IGBT
สินค้า: IGBT Silicon Modules
การกำหนดค่า: Hex
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: 1200 V.
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: 2.15 V
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C: 100 A
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 nA
อุณหภูมิในการใช้งานสูงสุด: + 125 C
แพ็คเกจ / กล่อง: Econo 3
บรรจุภัณฑ์: จำนวนมาก
แบรนด์: Infineon Technologies
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ: - 40 C
รูปแบบการติด: สกรู
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 455 W.
โมดูล IGBT N-CH 1.2KV 100A
Shunlongwei ตรวจสอบ FS75R12KT3G ทุกชิ้นก่อนจัดส่ง FS75R12KT3G ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน