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Email: sales@shunlongwei.com
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FS75R12KT3G
Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: moduli IGBT
Prodotto: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: esadecimale
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 2.15 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 100 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Temperatura operativa massima: + 125 C
Confezione/custodia: Econo 3
Confezione: Bulk
Marchio: Infineon Technologies
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/-20 V
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Pd - Dissipazione di potenza: 455 W.
Moduli IGBT N-CH 1.2KV 100A
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