#FS75R12KT3G EUPEC FS75R12KT3G Mới IGBT Module N-CH 1.2KV 100A , hình ảnh FS75R12KT3G, giá FS75R12KT3G, #FS75R12KT3G nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
FS75R12KT3G
Nhà sản xuất: Infineon
Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT
Sản phẩm: Mô-đun Silicon IGBT
Cấu hình: Hex
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 2.15 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 100 A
Gate-Emitter Rò rỉ hiện tại: 400 nA
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 125 C
Gói / Trường hợp: Econo 3
Bao bì: Số lượng lớn
Thương hiệu: Infineon Technologies
Bộ phát cổng tối đa Vôn: +/- 20V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Kiểu lắp: Vít
Pd - Công suất tiêu tán: 455 W
Mô-đun IGBT N-CH 1.2KV 100A
Shunlongwei đã kiểm tra mọi FS75R12KT3G trước khi xuất xưởng, tất cả FS75R12KT3G với bảo hành 6 tháng.