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Email: sales@shunlongwei.com
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FS75R12KT3G
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Módulos IGBT
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Hexagonal
Colector- Emisor voltaje VCEO Máx .: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.15 V
Corriente continua de colector a 25 C: 100 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Temperatura máxima de funcionamiento: + 125 C
Paquete / Caja: Econo 3
Embalaje: Bulk
Marca: Infineon Technologies
Emisor de puerta máximo voltaje: +/- 20V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 C
Estilo de montaje: tornillo
Pd - Disipación de energía: 455 W
Módulos IGBT N-CH 1.2KV 100A
Shunlongwei inspeccionó todos los FS75R12KT3G antes del envío, todos los FS75R12KT3G con 6 meses de garantía.