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Email: sales@shunlongwei.com
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FS75R12KT3G
Fabriquant: Infineon
Catégorie de produit: Modules IGBT
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: hexadécimal
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.15 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 100 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Paquet / Caisse : Econo 3
Emballage: Bulk
Marque: Infineon Technologies
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Pd - Dissipation de puissance: 455 W
Modules IGBT N-CH 1.2KV 100A
Shunlongwei inspecté chaque FS75R12KT3G avant expédition, tous les FS75R12KT3G avec 6 mois de garantie.