Transphorm, Inc. und Silanna Halbleiter haben ein GaN-Netzteil-Referenzdesign vorgestellt, das die SuperGaN Gen IV-Plattform von Transphorm mit Silannas proprietärem ACF-PWM-Controller (Active Clamp Flyback) kombiniert. Das 65-W-USB-C-Power-Delivery-Ladegerät (PD) mit offenem Rahmen liefert einen Spitzenwirkungsgrad von 94.5 % mit einer Leistungsdichte ohne Gehäuse von 30 W/Zoll3.
Diese Leistungsniveaus übertreffen die derzeit verfügbaren Konkurrenzlösungen mit Silizium-Superjunction Mosfets oder E-Mode-GaN-Transistoren, so die Unternehmen. Dieses Design richtet sich an Laptops, Tablets, Smartphones und andere IoT-Geräte.
Bild: Transphorm
Eine Schlüsselkomponente im Referenzdesign ist der SuperGaN-FET von Transphorm. Der TP65H300G4LSG ist ein 650-V-240-mΩ-Gerät in einem PQFN88-Gehäuse nach Industriestandard, das die SuperGaN-Gen-IV-Plattform für eine verbesserte Leistung nutzt. Der GaN-FET zeichnet sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und im Gegensatz zu E-Mode-Geräten seien keine schützenden externen Schaltkreise wie zusätzliche Vorspannungsschienen oder Pegelumsetzer erforderlich, was zur hohen Effizienz beitrage, so das Unternehmen.
Das Referenzdesign umfasst auch Silannas SZ1130, der angeblich der erste vollständig integrierte ACF-PWM-Controller ist, der einen adaptiven digitalen PWM-Controller, einen Active-Clamp-FET, einen Active-Clamp-Gate-Treiber und einen UHV-Startup integriert Regler. Der hochintegrierte Controller, der für eine Ausgangsleistung von bis zu 65 W ausgelegt ist, einschließlich USB-PD- und Schnellladeanwendungen, trägt zu hocheffizienten Adaptern mit hoher Leistungsdichte bei.
Schaltpläne, Designdateien und Stücklisten für das Referenzdesign des GaN-Netzteils sind von beiden Herstellern erhältlich. Für Silanna wenden Sie sich bitte an sales@silanna.com. Dateien für Transphorms TDADP-SIL-USBC-65W-RD können hier heruntergeladen werden.
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