Transphorm, Inc. e Silanna Semicondutores introduziram um design de referência de adaptador de alimentação GaN que combina a plataforma SuperGaN Gen IV da Transphorm com o controlador PWM de flyback de grampo ativo (ACF) proprietário da Silanna. O carregador USB-C Power Delivery (PD) de estrutura aberta de 65 W oferece uma eficiência de pico de 94.5% com uma densidade de energia não revestida de 30 W / in3.
Esses níveis de desempenho superam as soluções concorrentes disponíveis atualmente usando a superjunção de silício mosfet ou transistores GaN e-mode, de acordo com as empresas. Este design é direcionado a laptops, tablets, smartphones e outros dispositivos IoT.
Imagem: Transphorm
Um componente chave no design de referência é o SuperGaN FET da Transphorm. O TP65H300G4LSG é um dispositivo 650-V, 240-mΩ em um pacote PQFN88 padrão da indústria que alavanca a plataforma SuperGaN Gen IV para melhor desempenho. O GaN FET apresenta alta confiabilidade e, ao contrário dos dispositivos e-mode, circuitos externos de proteção, como trilhos de polarização adicionais ou deslocadores de nível, não são necessários, disse a empresa, o que contribui para a alta eficiência.
O projeto de referência também inclui o SZ1130 da Silanna, considerado o primeiro controlador ACF PWM totalmente integrado que integra um controlador PWM digital adaptativo, um FET de fixação ativo, um driver de gate de fixação ativo e uma inicialização UHV regulador. O controlador altamente integrado, projetado para potência de saída de até 65 W, incluindo aplicações USB-PD e Quick Charge, contribui para adaptadores altamente eficientes e de alta densidade de potência.
Esquema, arquivos de projeto e lista de materiais para o projeto de referência do adaptador de alimentação GaN estão disponíveis em ambos os fabricantes. Para Silanna, entre em contato com sales@silanna.com. Os arquivos do TDADP-SIL-USBC-65W-RD da Transphorm podem ser baixados aqui.
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