Transphorm, Inc. e Silanna Semiconduttore hanno introdotto un progetto di riferimento per l'adattatore di alimentazione GaN che combina la piattaforma SuperGaN Gen IV di Transphorm con il controller PWM a morsetto attivo (ACF) proprietario di Silanna. Il caricabatterie USB-C Power Delivery (PD) da 65 W a telaio aperto offre un'efficienza massima del 94.5% con una densità di potenza non incassata di 30 W / in3.
Questi livelli di prestazioni superano le soluzioni concorrenti attualmente disponibili che utilizzano la supergiunzione del silicio mosfet o transistor GaN e-mode, secondo le società. Questo design si rivolge a laptop, tablet, smartphone e altri dispositivi IoT.
Immagine: Transphorm
Un componente chiave nel progetto di riferimento è il SuperGaN FET di Transphorm. Il TP65H300G4LSG è un dispositivo da 650 V, 240 mΩ in un contenitore PQFN88 standard del settore che sfrutta la piattaforma SuperGaN Gen IV per prestazioni migliorate. Il GaN FET garantisce un'elevata affidabilità e, a differenza dei dispositivi e-mode, non sono necessari circuiti esterni di protezione come bias bias aggiuntivi o traslatori di livello, ha affermato la società, il che contribuisce all'elevata efficienza.
Il progetto di riferimento include anche SZ1130 di Silanna, affermato come il primo controller PWM ACF completamente integrato che integra un controller PWM digitale adattivo, un FET a pinza attiva, un driver gate a pinza attiva e un avvio UHV regolatore. Il controller altamente integrato, progettato per una potenza in uscita fino a 65 W, comprese le applicazioni USB-PD e Quick Charge, contribuisce alla realizzazione di adattatori altamente efficienti e ad alta densità di potenza.
Schemi, file di progettazione e distinta base per il progetto di riferimento dell'adattatore di alimentazione GaN sono disponibili da entrambi i produttori. Per Silanna, contattare sales@silanna.com. I file per TDADP-SIL-USBC-65W-RD di Transphorm possono essere scaricati qui.
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