Transphorm, Inc. и Силанна Полупроводниковое представили эталонный дизайн адаптера питания GaN, который сочетает в себе платформу Transphorm SuperGaN Gen IV с запатентованным ШИМ-контроллером с активным зажимом и обратным ходом (ACF) Silanna. Зарядное устройство USB-C Power Delivery (PD) мощностью 65 Вт с открытой рамой обеспечивает максимальную эффективность 94.5% при плотности мощности 30 Вт / дюйм без корпуса.3.
Эти уровни производительности превосходят доступные в настоящее время конкурирующие решения, использующие кремниевый суперпереход. МОП-транзисторы или GaN-транзисторы электронного режима, по заявлению компаний. Этот дизайн предназначен для ноутбуков, планшетов, смартфонов и других устройств Интернета вещей.
Изображение: Transphorm
Ключевым компонентом эталонного дизайна является полевой транзистор Transphorm SuperGaN. TP65H300G4LSG - это устройство на 650 В, 240 мОм в корпусе промышленного стандарта PQFN88, в котором используется платформа SuperGaN Gen IV для повышения производительности. GaN FET демонстрирует высокую надежность, и, в отличие от устройств электронного режима, не требуются внешние защитные схемы, такие как дополнительные шины смещения или переключатели уровня, что способствует высокой эффективности.
Эталонный дизайн также включает в себя SZ1130 от Silanna, заявленный как первый полностью интегрированный ШИМ-контроллер ACF, который объединяет адаптивный цифровой ШИМ-контроллер, полевой транзистор с активным ограничением, драйвер затвора с активным ограничением и сверхвысоковольтный запуск. регулятор. Высокоинтегрированный контроллер, рассчитанный на выходную мощность до 65 Вт, включая приложения USB-PD и Quick Charge, способствует созданию высокоэффективных адаптеров с высокой плотностью мощности.
Схемы, файлы проекта и ведомость материалов для эталонного проекта адаптера питания GaN доступны от обоих производителей. По поводу Силанны обращайтесь по адресу sales@silanna.com. Файлы для TDADP-SIL-USBC-65W-RD Transphorm можно скачать здесь.
о Силанне ПолупроводниковоеТрансформация