Transphorm, Inc. et Silanna Semi-conducteurs ont introduit une conception de référence d'adaptateur d'alimentation GaN qui combine la plate-forme SuperGaN Gen IV de Transphorm avec le contrôleur PWM ACF (Active Clamp Flyback) propriétaire de Silanna. Le chargeur USB-C Power Delivery (PD) de 65 W à cadre ouvert offre une efficacité maximale de 94.5% avec une densité de puissance sans boîtier de 30 W / po3.
Ces niveaux de performance surpassent les solutions concurrentes actuellement disponibles utilisant la superjonction de silicium mosfet ou transistors GaN e-mode, selon les entreprises. Cette conception cible les ordinateurs portables, tablettes, smartphones et autres appareils IoT.
Image : Transphorm
Un élément clé de la conception de référence est le SuperGaN FET de Transphorm. Le TP65H300G4LSG est un appareil de 650 V, 240 mΩ dans un boîtier PQFN88 standard de l'industrie qui exploite la plate-forme SuperGaN Gen IV pour des performances améliorées. Le GaN FET vante une fiabilité élevée et, contrairement aux appareils en mode électronique, des circuits externes de protection tels que des rails de polarisation supplémentaires ou des décaleurs de niveau ne sont pas nécessaires, a déclaré la société, ce qui contribue à la haute efficacité.
La conception de référence comprend également le SZ1130 de Silanna, considéré comme le premier contrôleur ACF PWM entièrement intégré intégrant un contrôleur PWM numérique adaptatif, un FET à pince actif, un pilote de grille à pince actif et un démarrage UHV. régulateur. Le contrôleur hautement intégré, conçu pour une puissance de sortie allant jusqu'à 65 W, y compris les applications USB-PD et Quick Charge, contribue à des adaptateurs très efficaces et à haute densité de puissance.
Le schéma, les fichiers de conception et la nomenclature de la conception de référence de l'adaptateur d'alimentation GaN sont disponibles auprès des deux fabricants. Pour Silanna, contactez sales@silanna.com. Les fichiers pour le TDADP-SIL-USBC-65W-RD de Transphorm peuvent être téléchargés ici.
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