Transphorm, Inc. y Silanna Semiconductores han introducido un diseño de referencia de adaptador de alimentación GaN que combina la plataforma SuperGaN Gen IV de Transphorm con el controlador PWM de pinza activa (ACF) patentada por Silanna. El cargador de suministro de energía (PD) USB-C de marco abierto de 65 W ofrece una eficiencia máxima del 94.5% con una densidad de potencia sin carcasa de 30 W / pulg.3.
Estos niveles de rendimiento superan a las soluciones de la competencia actualmente disponibles que utilizan superjunción de silicio. mosfets o transistores GaN de modo e, según las empresas. Este diseño apunta a computadoras portátiles, tabletas, teléfonos inteligentes y otros dispositivos de IoT.
Imagen: Transphorm
Un componente clave en el diseño de referencia es SuperGaN FET de Transphorm. El TP65H300G4LSG es un dispositivo de 650 V, 240 mΩ en un paquete PQFN88 estándar de la industria que aprovecha la plataforma SuperGaN Gen IV para mejorar el rendimiento. El GaN FET promociona una alta confiabilidad y, a diferencia de los dispositivos de modo e, no se necesitan circuitos externos de protección, como rieles de polarización adicionales o cambiadores de nivel, dijo la compañía, lo que contribuye a la alta eficiencia.
El diseño de referencia también incluye el SZ1130 de Silanna, reivindicado como el primer controlador ACF PWM totalmente integrado que integra un controlador PWM digital adaptativo, un FET de abrazadera activa, un controlador de compuerta de abrazadera activa y un arranque UHV. organismo regulador. El controlador altamente integrado, diseñado para una potencia de salida de hasta 65 W, incluidas aplicaciones USB-PD y carga rápida, contribuye a obtener adaptadores altamente eficientes y de alta densidad de potencia.
Ambos fabricantes ofrecen esquemas, archivos de diseño y lista de materiales para el diseño de referencia del adaptador de alimentación de GaN. Para Silanna, póngase en contacto con sales@silanna.com. Los archivos para TDADP-SIL-USBC-65W-RD de Transphorm se pueden descargar aquí.
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