Datenblätter:IRF9362PBFProduktfotos:8-SOIC8-SOIC8-SOICProduktschulungsmodule High Spannung Integrierte Schaltungen (HVIC-Gate-Treiber)Designressourcen:IRF9362PBF Sabre ModelIRF9362PBF Spice ModelPCN Montage/Herkunft:MOSFET Backend-Wafer-Verarbeitung 23/Okt/2013Standardpaket:4,000Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:FETs – ArraysSerie:HEXFET®Verpackung:Tape & Reel (TR)FET-Typ:2 P-Kanal (Dual)FET-Funktion:Logic Level GateDrain to Source Spannung (Vdss): 30 V Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8 ARds Ein (max.) bei Id, Vgs: 21 mOhm bei 8 A, 10 VVgs(th) (max.) bei Id: 2.4 V bei 25 µAGate-Ladung (Qg) bei Vgs:39nC bei 10VEingangskapazität (Ciss) bei Vds:1300pF bei 25VLeistung – Max:2WMontagetyp:OberflächenmontagePaket/Gehäuse:8-SOIC (0.154″, 3.90 mm Breite)Lieferantengerätepaket:8-SODynamischer Katalog:P-Kanal-Logik Level-Gate-FETsAndere Namen:IRF9362TRPBFTR #IRF9362TRPBF Internationaler Gleichrichter IRF9362TRPBF New Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021 Ohm, 2-Element, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, MS-012AA, HALOGENFREI UND ROHS-KONFORM, SOP-8, IRF9362TRPBF-Bilder, IRF9362TRPBF-Preis, #IRF9362TRPBF-Lieferant
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E-Mail: [E-Mail geschützt]
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Hersteller-Teilenummer: IRF9362TRPBF
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 1.01
Leistungs-Feldeffekttransistor, 8 A I(D), 30 V, 0.021 Ohm, 2 Elemente, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, MS-012AA, HALOGENFREI UND ROHS-KONFORM, SOP-8
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 1.01
Leistungs-Feldeffekttransistor, 8 A I(D), 30 V, 0.021 Ohm, 2 Elemente, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, MS-012AA, HALOGENFREI UND ROHS-KONFORM, SOP-8