Schede tecniche:IRF9362PBFPFoto del prodotto:8-SOIC8-SOIC8-SOICModuli di formazione del prodotto Alta voltaggio Circuiti integrati (HVIC Gate Drivers)Risorse di progettazione:IRF9362PBF Modello SabreIRF9362PBF Spice ModelPCN Assembly/Origine:mosfet Backend Wafer Processing 23/ott/2013 Pacchetto standard: 4,000Categoria: Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:FET – ArraySerie:HEXFET®Confezione:Tipo di FET a nastro e bobina (TR):FET a 2 canali P (doppio)Caratteristica:Gate a livello logicoDrain alla sorgente voltaggio (Vdss):30VCorrente – Scarico continuo (Id) @ 25° C:8ARds On (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 8A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:2.4V @ 25µAG Carica della porta (Qg) @ Vgs:39nC @ 10VCapacità di ingresso (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25VPotenza – Max:2WTipo di montaggio:Surface MountPackage/Case:8-SOIC (0.154″, 3.90mm Width)Pacchetto dispositivo fornitore:8-SODynamic Catalog:P-Channel Logic FET Level GateAltri nomi:IRF9362TRPBFTR #IRF9362TRPBF Raddrizzatore internazionale IRF9362TRPBF Nuovo effetto di campo di potenza Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 elemento, canale P, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, MS-012AA, SENZA ALOGENI E CONFORME A ROHS, SOP-8, IRF9362TRPBF immagini, prezzo IRF9362TRPBF, fornitore #IRF9362TRPBF
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Email: [email protected]
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Numero di parte del produttore: IRF9362TRPBF
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G8
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 1.01
Transistor ad effetto di campo di potenza, 8 A I(D), 30 V, 0.021 ohm, 2 elemento, canale P, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, MS-012AA, SENZA ALOGENI E CONFORME A ROHS, SOP-8
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G8
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 1.01
Transistor ad effetto di campo di potenza, 8 A I(D), 30 V, 0.021 ohm, 2 elemento, canale P, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, MS-012AA, SENZA ALOGENI E CONFORME A ROHS, SOP-8