Bảng dữ liệu:IRF9362PBFẢnh sản phẩm:8-SOIC8-SOIC8-SOICMô-đun đào tạo sản phẩm cao Vôn Mạch tích hợp (Trình điều khiển cổng HVIC) Tài nguyên thiết kế: IRF9362PBF Sabre ModelIRF9362PBF Spice ModelPCN Assembly / Origin:mosfet Xử lý Wafer phụ trợ 23/2013/4,000 Gói tiêu chuẩn: XNUMX Semiconductor Sản phẩmHọ:FET – MảngSê-ri:HEXFET®Đóng gói:Tape & Reel (TR)FET Loại:2 P-Channel (Dual)FET Tính năng:Cổng mức logic Thoát tới nguồn Vôn (Vdss):30V Current – Xả liên tục (Id) @ 25° C:8ARds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 8A, 10VVgs(th) (Tối đa) @ Id:2.4V @ 25µAGate Charge (Qg) @ Vgs:39nC @ 10VĐiện dung đầu vào (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25VPower – Tối đa:2WLoại gắn kết:Gói gắn trên bề mặt / Vỏ:8-SOIC (0.154", Chiều rộng 3.90 mm)Gói thiết bị của nhà cung cấp:Danh mục 8-SODynamic:P-Channel Logic FET cổng cấp Tên gọi khác: IRF9362TRPBFTR #IRF9362TRPBF Bộ chỉnh lưu quốc tế IRF9362TRPBF Hiệu ứng trường công suất mới Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 phần tử, kênh P, Silicon, Oxit kim loại Semiconductor FET, MS-012AA, KHÔNG CÓ HALOGEN VÀ TUÂN THỦ ROHS, SOP-8, hình ảnh IRF9362TRPBF, giá IRF9362TRPBF, #IRF9362TRPBF nhà cung cấp
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: IRF9362TRPBF
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Infineon Technologies AG
Xếp hạng rủi ro: 1.01
Transistor hiệu ứng trường điện, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 phần tử, Kênh P, Silicon, Oxit kim loại Semiconductor FET, MS-012AA, KHÔNG CÓ HALOGEN VÀ TUÂN THỦ ROHS, SOP-8
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Infineon Technologies AG
Xếp hạng rủi ro: 1.01
Transistor hiệu ứng trường điện, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 phần tử, Kênh P, Silicon, Oxit kim loại Semiconductor FET, MS-012AA, KHÔNG CÓ HALOGEN VÀ TUÂN THỦ ROHS, SOP-8