데이터시트:IRF9362PBF제품 사진:8-SOIC8-SOIC8-SOIC제품 교육 모듈 높음 전압 집적 회로(HVIC 게이트 드라이버)설계 리소스:IRF9362PBF Saber ModelIRF9362PBF Spice ModelPCN 어셈블리/원산지:이끼 백엔드 웨이퍼 처리 23년 2013월 4,000일 표준 패키지:XNUMX카테고리:개별 반도체 제품제품군:FET – 어레이시리즈:HEXFET®패키징:테이프 및 릴(TR)FET 유형:2 P-채널(이중)FET 기능:로직 레벨 게이트드레인-소스 전압 (Vdss):30V전류 – 연속 드레인(Id) @ 25° C:8ARds On(최대) @ Id, Vgs:21mOhm @ 8A, 10VVgs(th)(최대) @ Id:2.4V @ 25µAG게이트 충전(Qg) @ Vgs:39nC @ 10V입력 커패시턴스(Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V전원 – 최대:2W장착 유형:표면 실장패키지/케이스:8-SOIC(0.154″, 3.90mm 너비)공급업체 장치 패키지:8-SODynamic 카탈로그:P-Channel Logic 레벨 게이트 FET다른 이름:IRF9362TRPBFTR #IRF9362TRPBF 국제 정류기 IRF9362TRPBF 새로운 전력 전계 효과 트랜지스터, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, MS-012AA, 무할로겐 및 ROHS 준수, SOP-8, IRF9362TRPBF 사진, IRF9362TRPBF 가격, #IRF9362TRPBF 공급업체
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이메일 : [이메일 보호]
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제조업체 부품 번호: IRF9362TRPBF
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : INFINEON TECHNOLOGIES AG
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Infineon Technologies AG
위험 순위 : 1.01
전력 전계 효과 트랜지스터, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2소자, P채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, MS-012AA, 할로겐 프리 및 ROHS 준수, SOP-8
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : INFINEON TECHNOLOGIES AG
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Infineon Technologies AG
위험 순위 : 1.01
전력 전계 효과 트랜지스터, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2소자, P채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, MS-012AA, 할로겐 프리 및 ROHS 준수, SOP-8