Rectificador internacional IRF9362TRPBF Disponible

Fichas técnicas: IRF9362PBF Fotos del producto: 8-SOIC8-SOIC8-SOIC Módulos de formación del producto Alto voltaje Circuitos integrados (controladores de compuerta HVIC) Recursos de diseño: IRF9362PBF Modelo Sabre IRF9362PBF Modelo Spice Ensamblaje / origen de PCN:mosfet Procesamiento de obleas de backend 23 / Oct / 2013 Paquete estándar: 4,000 Categoría: Discreto Semiconductores Familia de productos: FET – Matrices Serie: HEXFET® Embalaje: Cinta y carrete (TR) Tipo de FET: 2 canales P (dual) FET Característica: Puerta de nivel lógico Drenaje a fuente voltaje (Vdss):30VCurrent – ​​Drenaje continuo (Id) @ 25° C:8ARds On (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 8A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:2.4V @ 25µAGate Charge (Qg) @ Vgs:39nC a 10VCapacidad de entrada (Ciss) a Vds:1300pF a 25VPotencia – Máx.:2WTipo de montaje:Montaje en superficie Paquete/carcasa:8-SOIC (0.154″, 3.90 mm de ancho) Paquete de dispositivo del proveedor:8-SOCatálogo dinámico:P-Channel Logic FET de puerta de nivel Otros nombres: IRF9362TRPBFTR #IRF9362TRPBF Rectificador internacional IRF9362TRPBF Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 elementos, canal P, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, MS-012AA, LIBRE DE HALÓGENOS Y EN CONFORMIDAD CON ROHS, SOP-8, imágenes IRF9362TRPBF, precio IRF9362TRPBF, proveedor #IRF9362TRPBF
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Correo electrónico: [correo electrónico protegido]

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Número de pieza del fabricante: IRF9362TRPBF
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 1.01
Transistor de Efecto de Campo de Potencia, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 Elemento, Canal P, Silicio, Óxido Metálico Semiconductores FET, MS-012AA, LIBRE DE HALÓGENOS Y CUMPLE CON ROHS, SOP-8