Redresseur International IRF9362TRPBF En Stock

Fiches techniques : IRF9362PBFPhotos de produits :8-SOIC8-SOIC8-SOICModules de formation sur les produits Élevé Tension Circuits intégrés (pilotes de porte HVIC)Ressources de conception : Modèle Sabre IRF9362PBF Modèle Spice IRF9362PBF Assemblage/Origine :mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Package standard : 4,000Catégorie : Discret Semi-conducteurs Famille de produits :FET - ArraysSeries :HEXFET®Packaging :Tape & Reel (TR)FET Type :2 P-Channel (Dual)FET Feature :Logic Level GateDrain to Source Tension (Vdss) : 30 V Courant – Vidange continue (Id) @ 25° C : 8 ARds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8 A, 10 V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.4 V @ 25 µAG Charge de grille (Qg) @ Vgs : 39 nC @ 10 V Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds : 1300 pF @ 25VPuissance - Max:2WMounting Type:Surface MountPackage / Case:8-SOIC (0.154″, 3.90mm Width)Supplier Device Package:8-SODynamic Catalogue:P-Channel Logic Level Gate FETsAutres noms:IRF9362TRPBFTR #IRF9362TRPBF International Rectifier IRF9362TRPBF Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 éléments, canal P, silicium, oxyde de métal Semi-conducteurs FET, MS-012AA, SANS HALOGÈNE ET CONFORME ROHS, SOP-8, images IRF9362TRPBF, prix IRF9362TRPBF, fournisseur #IRF9362TRPBF
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Numéro de pièce du fabricant : IRF9362TRPBF
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 1.01
Transistor à effet de champ de puissance, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2 éléments, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, MS-012AA, SANS HALOGÈNE ET CONFORME ROHS, SOP-8