Nexperia gab kürzlich bekannt, dass seine neue 8-Zoll-Wafer-Produktionslinie in Manchester, Großbritannien, mit der Produktion der ersten Produkte beginnen wird. Die ersten Produkte werden Low RDS(on), Low Qrr 80 V und 100 V sein Mosfets unter Verwendung seines neuesten NextPower-Siliziums Technologie.
Die neue Produktionslinie erweitert ab sofort die Kapazität von Nexperia und die neuen Geräte PSMN3R9-100YSF (100 V) und PSMN3R5-80YSF (80 V) werden den branchenweit niedrigsten Qrr-Leistungsfaktor (RDS(on) x Qrr) aufweisen.
Mike Becker, Produktmanager von Nexperia, kommentiert: „Angesichts der globalen Knappheit an Halbleitern werden die von Nexperia getätigten Investitionen zur Kapazitätssteigerung an seinen weltweiten Produktionsstandorten, einschließlich Manchester und den Philippinen, wo diese MOSFETs hergestellt werden, für Käufer eine sehr willkommene Neuigkeit sein.“ Designer werden auch von der Leistung der neuen MOSFETs begeistert sein. Sie eignen sich sehr gut für viele Schaltanwendungen und sind echte Second-Source-Optionen für die Produkte anderer Anbieter.“
Das NextPower 80 V und 100 V Silizium MOSFETs Verbessern Sie RDS(on) erheblich von 7 mΩ bei 100-V-Teilen der vorherigen Generation auf nur 4.3 mΩ bei den neuen Geräten, was zu einer höheren Effizienz führt. Die NextPower-Technologie liefert außerdem den klassenbesten niedrigen Qrr von 44 nC für den 100-V-Teil, wodurch Spitzenspitzen und EMI-Emissionen reduziert werden. Insgesamt ist der Qrr-Leistungsfaktor für den 100-V-Teil im Durchschnitt 61 % niedriger als bei Konkurrenzgeräten.
Die neuen 80-V- und 100-V-MOSFETs sind im thermisch und elektrisch leistungsstarken LFPAK56E-Kupferclip-Technologiepaket von Nexperia erhältlich. Die Geräte eignen sich für eine Vielzahl von Schaltanwendungen, einschließlich AC/DC, DC/DC und Motorsteuerung.