Nexperia baru-baru ini mengumumkan bahwa lini produksi wafer baru 8-inci di Manchester, Inggris akan memulai produksi produk pertama. Produk pertama adalah RDS(on) rendah, QRr rendah 80 V dan 100 V MOSFET menggunakan silikon NextPower terbaru teknologi.
Lini produksi baru memperluas kapasitas Nexperia dengan segera, dan perangkat PSMN3R9-100YSF (100 V) dan PSMN3R5-80YSF (80 V) yang baru akan menampilkan Angka Merit (RDS(on) x Qrr) terendah di industri.
Mike Becker, manajer produk Nexperia berkomentar: “Dengan kekurangan semikonduktor global, investasi yang dilakukan oleh Nexperia untuk meningkatkan kapasitas di seluruh lokasi manufaktur globalnya, termasuk Manchester & Filipina di mana MOSFET ini diproduksi, akan menjadi berita yang sangat disambut baik oleh pembeli. Desainer juga akan senang dengan kinerja MOSFET baru. Mereka sangat cocok untuk banyak aplikasi switching, dan merupakan pilihan sumber kedua yang asli untuk produk vendor lain.”
Silikon NextPower 80 V dan 100 V MOSFET meningkatkan RDS(on) secara signifikan dari 7 mΩ untuk komponen 100 V generasi sebelumnya menjadi hanya 4.3 mΩ untuk perangkat baru, sehingga menghasilkan peningkatan efisiensi. Teknologi NextPower juga menghadirkan Qrr rendah terbaik di kelasnya sebesar 44 nC untuk komponen 100 V yang mengurangi spiking dan emisi EMI. Secara keseluruhan, Qrr Figure of Merit untuk komponen 100 V rata-rata 61% lebih rendah dibandingkan perangkat pesaing.
MOSFET 80 V dan 100 V baru tersedia dalam paket teknologi klip tembaga LFPAK56E kinerja tinggi termal dan elektrik Nexperia. Perangkat cocok untuk berbagai aplikasi switching termasuk AC/DC, DC/DC dan kontrol motor.