Nexperia a récemment annoncé que sa nouvelle ligne de production de plaquettes de 8 pouces à Manchester, au Royaume-Uni, commencera la production des premiers produits. Les premiers produits seront low RDS(on), low Qrr 80 V et 100 V mosfet utilisant son dernier silicium NextPower sans souci.
La nouvelle ligne de production étend la capacité de Nexperia avec effet immédiat, et les nouveaux appareils PSMN3R9-100YSF (100 V) et PSMN3R5-80YSF (80 V) présenteront le plus faible facteur de mérite Qrr de l'industrie (RDS(on) x Qrr).
Mike Becker, chef de produit chez Nexperia, commente : « Avec la pénurie mondiale de semi-conducteurs, les investissements réalisés par Nexperia pour augmenter la capacité de ses sites de fabrication mondiaux, y compris Manchester et les Philippines où ces MOSFET sont produits, seront une très bonne nouvelle pour les acheteurs. Les concepteurs seront également enthousiasmés par les performances des nouveaux MOSFET. Ils sont très bien adaptés à de nombreuses applications de commutation et constituent de véritables options de seconde source pour les produits d'autres fournisseurs.
Le silicium NextPower 80 V et 100 V MOSFETs améliore considérablement le RDS(on) de 7 mΩ pour les composants 100 V de la génération précédente à seulement 4.3 mΩ pour les nouveaux appareils, ce qui se traduit par une efficacité accrue. La technologie NextPower offre également le meilleur Qrr faible de sa catégorie de 44 nC pour la partie 100 V, ce qui réduit les pointes et les émissions EMI. Dans l'ensemble, le facteur de mérite Qrr pour la partie 100 V est en moyenne 61 % inférieur à celui des appareils concurrents.
Les nouveaux MOSFET 80 V et 100 V sont disponibles dans le package de technologie de clip en cuivre LFPAK56E à hautes performances thermiques et électriques de Nexperia. Les appareils conviennent à une large gamme d'applications de commutation, notamment AC/DC, DC/DC et la commande de moteur.