Nexperia gần đây đã thông báo rằng dây chuyền sản xuất tấm wafer 8 inch mới của họ ở Manchester, Vương quốc Anh sẽ bắt đầu sản xuất những sản phẩm đầu tiên. Các sản phẩm đầu tiên sẽ có RDS(bật) thấp, Qrr thấp 80 V và 100 V mosfet sử dụng silicon NextPower mới nhất của nó công nghệ.
Dây chuyền sản xuất mới giúp mở rộng công suất của Nexperia với hiệu quả ngay lập tức và các thiết bị PSMN3R9-100YSF (100 V) và PSMN3R5-80YSF (80 V) mới sẽ có Chỉ số Thành tích Qrr thấp nhất trong ngành (RDS(on) x Qrr).
Mike Becker, giám đốc sản phẩm của Nexperia nhận xét: “Với tình trạng thiếu chất bán dẫn trên toàn cầu, các khoản đầu tư do Nexperia thực hiện để tăng công suất trên các cơ sở sản xuất toàn cầu của mình, bao gồm cả Manchester và Philippines, nơi sản xuất các MOSFET này, sẽ là một tin rất đáng hoan nghênh đối với người mua. Các nhà thiết kế cũng sẽ rất hào hứng với hiệu suất của MOSFET mới. Chúng rất phù hợp với nhiều ứng dụng chuyển mạch và là lựa chọn nguồn thứ hai chính hãng cho các sản phẩm của nhà cung cấp khác.”
Silicon NextPower 80 V và 100 V MOSFET cải thiện đáng kể RDS(bật) từ 7 mΩ đối với các bộ phận 100 V thế hệ trước xuống chỉ còn 4.3 mΩ đối với các thiết bị mới, giúp tăng hiệu quả. Công nghệ NextPower cũng mang lại Qrr thấp nhất trong phân khúc là 44 nC cho bộ phận 100 V giúp giảm hiện tượng tăng vọt và phát thải EMI. Nhìn chung, Chỉ số khen thưởng Qrr cho phần 100 V trung bình thấp hơn 61% so với các thiết bị cạnh tranh.
MOSFET 80 V và 100 V mới có sẵn trong gói công nghệ kẹp đồng LFPAK56E hiệu suất cao về nhiệt và điện của Nexperia. Thiết bị phù hợp với nhiều ứng dụng chuyển mạch bao gồm AC/DC, DC/DC và điều khiển động cơ.