A Nexperia anunciou recentemente que sua nova linha de produção de wafer de 8 polegadas em Manchester, Reino Unido, começará a produção dos primeiros produtos. Os primeiros produtos serão de baixo RDS (ligado), baixo Qrr 80 V e 100 V mosfet usando seu mais recente silício NextPower tecnologia.
A nova linha de produção expande a capacidade da Nexperia com efeito imediato, e os novos dispositivos PSMN3R9-100YSF (100 V) e PSMN3R5-80YSF (80 V) apresentarão a menor Figura de Mérito Qrr da indústria (RDS (on) x Qrr).
Mike Becker, gerente de produto da Nexperia comenta: “Com a escassez global de semicondutores, os investimentos feitos pela Nexperia para aumentar a capacidade em suas fábricas globais, incluindo Manchester e Filipinas, onde esses MOSFETs são produzidos, serão uma notícia muito bem-vinda para os compradores. Os designers também ficarão entusiasmados com o desempenho dos novos MOSFETs. Eles são muito adequados para muitas aplicações de comutação e são opções genuínas de segunda fonte para produtos de outros fornecedores. ”
O silício NextPower 80 V e 100 V MOSFETs melhoram significativamente o RDS(on) de 7 mΩ para peças de 100 V da geração anterior até apenas 4.3 mΩ para os novos dispositivos, resultando em maior eficiência. A tecnologia NextPower também oferece o melhor Qrr baixo da categoria de 44 nC para a parte de 100 V, o que reduz picos e emissões EMI. No geral, o valor de mérito Qrr para a parte de 100 V é 61% menor, em média, do que os dispositivos concorrentes.
Os novos MOSFETs de 80 V e 100 V estão disponíveis no pacote de tecnologia de clipe de cobre LFPAK56E de alto desempenho térmico e elétrico da Nexperia. Os dispositivos são adequados para uma ampla gama de aplicações de chaveamento, incluindo AC / DC, DC / DC e controle de motor.