Nexperia ha recentemente annunciato che la sua nuova linea di produzione di wafer da 8 pollici a Manchester, nel Regno Unito, inizierà la produzione dei primi prodotti. I primi prodotti saranno RDS(on) basso, Qrr basso 80 V e 100 V mosfet utilizzando il suo ultimo silicio NextPower la tecnologia.
La nuova linea di produzione espande la capacità di Nexperia con effetto immediato e i nuovi dispositivi PSMN3R9-100YSF (100 V) e PSMN3R5-80YSF (80 V) presenteranno la cifra di merito Qrr più bassa del settore (RDS (on) x Qrr).
Mike Becker, product manager di Nexperia, commenta: "Con la carenza globale di semiconduttori, gli investimenti fatti da Nexperia per aumentare la capacità nei suoi siti di produzione globali, tra cui Manchester e le Filippine, dove vengono prodotti questi MOSFET, saranno una notizia molto gradita per gli acquirenti. I progettisti saranno anche entusiasti delle prestazioni dei nuovi MOSFET. Sono molto adatti a molte applicazioni di commutazione e sono autentiche opzioni di seconda fonte per i prodotti di altri fornitori.
Il NextPower 80 V e 100 V al silicio MOSFET migliorare significativamente l'RDS(on) da 7 mΩ per i componenti da 100 V della generazione precedente fino a soli 4.3 mΩ per i nuovi dispositivi, con conseguente maggiore efficienza. La tecnologia NextPower offre inoltre il miglior basso Qrr della categoria pari a 44 nC per la parte da 100 V, riducendo i picchi e le emissioni EMI. Nel complesso, la cifra di merito Qrr per la parte da 100 V è in media inferiore del 61% rispetto ai dispositivi della concorrenza.
I nuovi MOSFET da 80 V e 100 V sono disponibili nel pacchetto con tecnologia a clip in rame LFPAK56E ad alte prestazioni termicamente ed elettricamente di Nexperia. I dispositivi sono adatti per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione tra cui AC/DC, DC/DC e controllo motore.