Nexperia baru-baru ini mengumumkan bahawa barisan pengeluaran wafer 8 inci barunya di Manchester, UK akan memulakan pengeluaran produk pertama. Produk pertama akan rendah RDS (on), Qrr 80 V rendah dan 100 V mosfet menggunakan silikon NextPower terbarunya teknologi.
Lini pengeluaran baru memperluas kapasiti Nexperia dengan segera, dan peranti PSMN3R9-100YSF (100 V) dan PSMN3R5-80YSF (80 V) yang baru akan menampilkan Qrr Figure of Merit terendah industri (RDS (on) x Qrr).
Mike Becker, pengurus produk Nexperia memberi komen: “Dengan kekurangan semikonduktor global, pelaburan yang dilakukan oleh Nexperia untuk meningkatkan kapasiti di seluruh lokasi pembuatan globalnya, termasuk Manchester & Filipina di mana MOSFET ini dihasilkan, akan menjadi berita yang sangat baik bagi pembeli. Pereka juga akan teruja dengan persembahan MOSFET baru. Mereka sangat sesuai untuk banyak aplikasi beralih, dan merupakan pilihan sumber kedua yang asli untuk produk vendor lain. "
Silikon NextPower 80 V dan 100 V MOSFETs meningkatkan RDS(on) dengan ketara daripada 7 mΩ untuk bahagian 100 V generasi sebelumnya kepada hanya 4.3 mΩ untuk peranti baharu, menghasilkan peningkatan kecekapan. Teknologi NextPower juga memberikan Qrr rendah terbaik dalam kelasnya iaitu 44 nC untuk bahagian 100 V yang mengurangkan pelepasan spiking dan EMI. Secara keseluruhan, Angka Merit Qrr untuk bahagian 100 V adalah 61% lebih rendah secara purata daripada peranti kompetitif.
MOSFET 80 V dan 100 V baru boleh didapati dalam pakej teknologi klip tembaga LFPAK56E berprestasi tinggi dan elektrik Nexperia. Peranti sesuai untuk pelbagai aplikasi beralih termasuk AC / DC, DC / DC dan kawalan motor.