#SK60GB123 Semikron SK60GB123 Neuer TRANSISTOR IGBT MagXNUMX MODULE HALBBRÜCKE 1.2 kV V(BR)CES 40A I(C), SK60GB123 Bilder, SK60GB123 Preis, #SK60GB123 Lieferant
-----------------------
E-Mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-Mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
SK60GB123 Funktionen
.Kompaktes Design
.Eine Schraubbefestigung
Wärmeübertragung und Isolierung durch direkt kupfergebundene Aluminiumoxidkeramik (DCB)
Hohe Kurzschlussfähigkeit
Niedriger Schwanzstrom bei geringer Temperaturabhängigkeit
Typische Anwendungen*
.Schalten (nicht für den linearen Gebrauch)
.Wandler
.Schaltmodus-Netzteile
.UPS
.Eine Schraubbefestigung
Wärmeübertragung und Isolierung durch direkt kupfergebundene Aluminiumoxidkeramik (DCB)
Hohe Kurzschlussfähigkeit
Niedriger Schwanzstrom bei geringer Temperaturabhängigkeit
Typische Anwendungen*
.Schalten (nicht für den linearen Gebrauch)
.Wandler
.Schaltmodus-Netzteile
.UPS
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 40A
Kollektorstrom Icp: 100A
Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 2500V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
TRANSISTOR IGBT LEISTUNGSMODUL HALBBRÜCKE 1.2 kV V (BR) CES 40A I (C)
Shunlongwei prüfte jeden SK60GB123 vor dem Versand, alle SK60GB123 mit 6 Monaten Garantie.