#SK60GB123 Semikron SK60GB123 Novo TRANSISTOR IGBT PODER MÓDULO MEIA PONTE 1.2kV V(BR)CES 40A I(C), fotos SK60GB123, preço SK60GB123, fornecedor #SK60GB123
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Email: sales@shunlongwei.com
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Recursos SK60GB123
.Design compacto
.Um parafuso de montagem
.Transferência de calor e isolamento através de cerâmica de óxido de alumínio com ligação direta de cobre (DCB)
. Alta capacidade de curto-circuito
.Baixa corrente de cauda com baixa dependência de temperatura
Aplicações típicas *
. Troca (não para uso linear)
.Inversor
. Fontes de alimentação de modo comutado
.UPS
.Um parafuso de montagem
.Transferência de calor e isolamento através de cerâmica de óxido de alumínio com ligação direta de cobre (DCB)
. Alta capacidade de curto-circuito
.Baixa corrente de cauda com baixa dependência de temperatura
Aplicações típicas *
. Troca (não para uso linear)
.Inversor
. Fontes de alimentação de modo comutado
.UPS
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 1200V
Tensão do emissor-porta VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 40A
Corrente do coletor Icp: 100A
Tensão do coletor-emissor VCES: 2500V
Temperatura de junção operacional Tj: + 150 ° C
Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a + 125 ° C
MÓDULO DE POTÊNCIA DE IGBT DE TRANSISTOR MEIA PONTE 1.2kV V (BR) CES 40A I (C)
Shunlongwei inspecionado todos os SK60GB123 antes do envio, todos os SK60GB123 com 6 meses de garantia.