#SK60GB123 Semikron SK60GB123 TRANSISTOR Baru IGBT DAYA MODUL HALF BRIDGE 1.2kV V(BR)CES 40A I(C), gambar SK60GB123, harga SK60GB123, pemasok #SK60GB123
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Fitur SK60GB123
.Desain kompak
. Satu sekrup pemasangan
Transfer dan isolasi panas melalui keramik aluminium oksida terikat tembaga langsung (DCB)
Kemampuan hubung singkat yang tinggi
Arus ekor rendah dengan ketergantungan suhu rendah
Aplikasi Khas *
.Switching (bukan untuk penggunaan linier)
.Balik
Catu daya mode teralih
.UPS
. Satu sekrup pemasangan
Transfer dan isolasi panas melalui keramik aluminium oksida terikat tembaga langsung (DCB)
Kemampuan hubung singkat yang tinggi
Arus ekor rendah dengan ketergantungan suhu rendah
Aplikasi Khas *
.Switching (bukan untuk penggunaan linier)
.Balik
Catu daya mode teralih
.UPS
Peringkat dan karakteristik maksimum
Peringkat maksimum absolut (Tc = 25 ° C kecuali tanpa ditentukan)
Kolektor-Emitor tegangan Vces: 1200V
Tegangan Gate-Emitter VGES: ± 20V
Arus kolektor IC: 40A
Icp arus kolektor: 100A
Tegangan Collector-Emitter VCES: 2500V
Suhu persimpangan operasi Tj: + 150 ° C
Suhu penyimpanan Tstg: -40 hingga + 125 ° C
MODUL DAYA TRANSISTOR IGBT SETENGAH JEMBATAN 1.2kV V (BR) CES 40A I (C)
Shunlongwei Diperiksa Setiap SK60GB123 Sebelum Dikirim, Semua SK60GB123 dengan garansi 6 bulan.