#SK60GB123 Semikron SK60GB123 Nuevo TRANSISTOR IGBT POWER MÓDULO MEDIO PUENTE 1.2kV V(BR)CES 40A I(C), imágenes SK60GB123, precio SK60GB123, proveedor #SK60GB123
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Características SK60GB123
.Diseño compacto
.Un tornillo de montaje
.Transferencia de calor y aislamiento a través de cerámica de óxido de aluminio (DCB) con unión directa de cobre
.Alta capacidad de cortocircuito
.Baja corriente de cola con dependencia de baja temperatura.
Aplicaciones Típicas*
.Conmutación (no para uso lineal)
.Contrarrestar
.Fuentes de alimentación de modo conmutado
.UPS
.Un tornillo de montaje
.Transferencia de calor y aislamiento a través de cerámica de óxido de aluminio (DCB) con unión directa de cobre
.Alta capacidad de cortocircuito
.Baja corriente de cola con dependencia de baja temperatura.
Aplicaciones Típicas*
.Conmutación (no para uso lineal)
.Contrarrestar
.Fuentes de alimentación de modo conmutado
.UPS
Calificaciones y características máximas
.Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 ° C a menos que no se especifique)
Colector-Emisor voltaje Vces: 1200 V
Voltaje puerta-emisor VGES: ± 20V
Corriente del colector IC: 40A
Corriente de colector Icp: 100A
Voltaje colector-emisor VCES: 2500V
Temperatura de unión de funcionamiento Tj: + 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg: -40 a + 125 ° C
TRANSISTOR MÓDULO DE POTENCIA IGBT MEDIO PUENTE 1.2kV V (BR) CES 40A I (C)
Shunlongwei inspeccionó cada SK60GB123 antes del envío, todos los SK60GB123 con 6 meses de garantía.