#СК60ГБ123 Semikron SK60GB123 Новый ТРАНЗИСТОР IGBT МОЩНОСТЬ МОДУЛЬ ПОЛУМОСТ 1.2кВ V(BR)CES 40A I(C) , SK60GB123 фото, SK60GB123 цена, #SK60GB123 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
SK60GB123 Особенности
.Компактный дизайн
.Один винтовой монтаж.
.Передача тепла и изоляция через керамику из оксида алюминия с прямым соединением меди (DCB).
. Высокая устойчивость к короткому замыканию.
.Низкий хвостовой ток с низкой температурной зависимостью.
Типичные области применения*
.Переключение (не для линейного использования)
.Инвертор
.Источники питания с переключением режимов.
.UPS
.Один винтовой монтаж.
.Передача тепла и изоляция через керамику из оксида алюминия с прямым соединением меди (DCB).
. Высокая устойчивость к короткому замыканию.
.Низкий хвостовой ток с низкой температурной зависимостью.
Типичные области применения*
.Переключение (не для линейного использования)
.Инвертор
.Источники питания с переключением режимов.
.UPS
Максимальные рейтинги и характеристики
.Абсолютные максимальные характеристики (Tc = 25 ° C, если не указано иное).
Коллектор-эмиттер напряжение Напряжение: 1200 В
Напряжение затвор-эмиттер VGES: ± 20 В
Коллекторный ток IC: 40A
Ток коллектора Icp: 100А
Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 2500V
Рабочая температура перехода Tj: + 150 ° C
Температура хранения Tstg: от -40 до + 125 ° C
МОДУЛЬ ПИТАНИЯ ТРАНЗИСТОРА IGBT ПОЛОВИНА 1.2kV V (BR) CES 40A I (C)
Shunlongwei проверил каждый SK60GB123 перед отправкой, все SK60GB123 с 6-месячной гарантией.