#SK60GB123 Semikron SK60GB123 Nouveau TRANSISTOR IGBT RENFORCER MODULE DEMI-PONT 1.2kV V(BR)CES 40A I(C), images SK60GB123, prix SK60GB123, fournisseur # SK60GB123
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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SK60GB123 Fonctionnalités
.Design compact
.Un montage à vis
.Transfert thermique et isolation par céramique d'oxyde d'aluminium (DCB) à liant direct cuivre
.Haute capacité de court-circuit
Courant de queue faible avec dépendance à basse température
Applications typiques*
.Commutation (pas pour une utilisation linéaire)
.Sens inverse
.Alimentations en mode commuté
.UPS
.Un montage à vis
.Transfert thermique et isolation par céramique d'oxyde d'aluminium (DCB) à liant direct cuivre
.Haute capacité de court-circuit
Courant de queue faible avec dépendance à basse température
Applications typiques*
.Commutation (pas pour une utilisation linéaire)
.Sens inverse
.Alimentations en mode commuté
.UPS
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1200 V
Tension de grille-émetteur VGES: ± 20V
Courant de collecteur IC: 40A
Courant de collecteur Icp: 100A
Tension collecteur-émetteur VCES: 2500V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
MODULE DE PUISSANCE TRANSISTOR IGBT DEMI-PONT 1.2kV V (BR) CES 40A I (C)
Shunlongwei inspecté chaque SK60GB123 avant l'expédition, tous les SK60GB123 avec 6 mois de garantie.