#STD1HNC60 ST STD1HNC60 Neu 2A, 600V, 5 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3, STD1HNC60 Bilder, STD1HNC60 Preis, #STD1HNC60 Lieferant
-----------------------
E-Mail: [E-Mail geschützt]
-----------------------
E-Mail: [E-Mail geschützt]
https://www.slw-ele.com/std1hnc60.html
-----------------------
Hersteller-Teilenummer: STD1HNC60
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: STMICROELECTRONICS
Teilepaketcode: TO-252AA
Paketbeschreibung: TO-252, DPAK-3
Pin-Anzahl: 3
Hersteller: STMicroelectronics
Risikorang: 5.68
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 120 mJ
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 600 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 2 A
Drainstrom-Max (ID): 2 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 5 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-252AA
JESD-30-Code: R-PSSO-G2
JESD-609-Code: e3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 50 W.
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 8 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminal Finish: Matte Dose (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
2A, 600V, 5 Ohm, N-KANAL, Si, LEISTUNG, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: STMICROELECTRONICS
Teilepaketcode: TO-252AA
Paketbeschreibung: TO-252, DPAK-3
Pin-Anzahl: 3
Hersteller: STMicroelectronics
Risikorang: 5.68
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 120 mJ
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 600 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 2 A
Drainstrom-Max (ID): 2 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 5 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-252AA
JESD-30-Code: R-PSSO-G2
JESD-609-Code: e3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 50 W.
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 8 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminal Finish: Matte Dose (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
2A, 600V, 5 Ohm, N-KANAL, Si, LEISTUNG, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3