#STD1HNC60 ST STD1HNC60 Nuovo 2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, TO-252AA, TO-252, DPAK-3, immagini STD1HNC60, prezzo STD1HNC60, fornitore #STD1HNC60
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https://www.slw-ele.com/std1hnc60.html
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Codice produttore: STD1HNC60
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Codice confezione parte: TO-252AA
Descrizione del pacchetto: TO-252, DPAK-3
Numero pin: 3
Produttore: STMicroelectronics
Grado di rischio: 5.68
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 120 mJ
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 600 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 2 A
Scarico corrente-max (ID): 2 A
Drain-source On Resistenza-Max: 5 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JEDEC-95: TO-252AA
Codice JESD-30: R-PSSO-G2
Codice JESD-609: e3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 2
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 50 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 8 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: latta opaca (Sn)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
2A, 600V, 5ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Codice confezione parte: TO-252AA
Descrizione del pacchetto: TO-252, DPAK-3
Numero pin: 3
Produttore: STMicroelectronics
Grado di rischio: 5.68
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 120 mJ
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 600 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 2 A
Scarico corrente-max (ID): 2 A
Drain-source On Resistenza-Max: 5 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JEDEC-95: TO-252AA
Codice JESD-30: R-PSSO-G2
Codice JESD-609: e3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 2
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 50 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 8 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: latta opaca (Sn)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
2A, 600V, 5ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, TO-252AA, TO-252, DPAK-3