ST STD1HNC60 en stock

Mise à jour : 6 mars 2024 Mots clés:papiericsans souci

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E-mail: [email protected]
https://www.slw-ele.com/std1hnc60.html

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Numéro de pièce du fabricant: STD1HNC60
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: STMICROELECTRONICS
Code de paquet de pièce: TO-252AA
Description de l'emballage : TO-252, DPAK-3
Nombre de broches: 3
Fabricant: STMicroelectronics
Classement de risque: 5.68
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 120 mJ
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 600 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 2 A
Courant de drain-Max (ID): 2 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 5 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95: TO-252AA
Code JESD-30 : R-PSSO-G2
Code JESD-609: e3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 2
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 50 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 8 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: UNIQUE
Temps
2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, PUISSANCE, mosfet, TO-252AA, TO-252, DPAK-3