#STD1HNC60 ST STD1HNC60 새로운 2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, 이끼, TO-252AA, TO-252, DPAK-3, STD1HNC60 사진, STD1HNC60 가격, #STD1HNC60 공급업체
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이메일 : [이메일 보호]
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https://www.slw-ele.com/std1hnc60.html
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제조업체 부품 번호: STD1HNC60
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조업체 : STMICROELECTRONICS
부품 패키지 코드 : TO-252AA
패키지 설명: TO-252, DPAK-3
Pin Count : 3
제조업체 : STMicroelectronics
위험 순위 : 5.68
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 120mJ
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 600V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 2A
최대 드레인 전류 (ID) : 2A
드레인 소스 On 저항 최대 : 5 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JEDEC-95 코드 : TO-252AA
JESD-30 코드 : R-PSSO-G2
JESD-609 코드 : e3
요소 수 : 1
터미널 수 : 2
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 50W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 8A
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
단자 마감 : 무광 주석 (Sn)
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : 단일
Time
2A, 600V, 5ohm, N-채널, Si, 전원, 이끼, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조업체 : STMICROELECTRONICS
부품 패키지 코드 : TO-252AA
패키지 설명: TO-252, DPAK-3
Pin Count : 3
제조업체 : STMicroelectronics
위험 순위 : 5.68
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 120mJ
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 600V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 2A
최대 드레인 전류 (ID) : 2A
드레인 소스 On 저항 최대 : 5 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JEDEC-95 코드 : TO-252AA
JESD-30 코드 : R-PSSO-G2
JESD-609 코드 : e3
요소 수 : 1
터미널 수 : 2
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 50W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 8A
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
단자 마감 : 무광 주석 (Sn)
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : 단일
Time
2A, 600V, 5ohm, N-채널, Si, 전원, 이끼, TO-252AA, TO-252, DPAK-3