#СТД1HNC60 ST STD1HNC60 Новый 2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3, STD1HNC60 картинки, цена STD1HNC60, # STD1HNC60 поставщик
-----------------------
Электронная почта: [электронная почта защищена]
-----------------------
Электронная почта: [электронная почта защищена]
https://www.slw-ele.com/std1hnc60.html
-----------------------
Номер детали производителя: STD1HNC60
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: STMICROELECTRONICS
Код упаковки детали: TO-252AA
Описание упаковки: ТО-252, ДПАК-3
Количество контактов: 3
Производитель: STMicroelectronics
Рейтинг риска: 5.68
Рейтинг энергии лавин (EAS): 120 мДж
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 600 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 2 A
Максимальный ток стока (ID): 2 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 5 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JEDEC-95: TO-252AA
Код JESD-30: R-PSSO-G2
Код JESD-609: e3.
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 2
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 50 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 8 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Конечная отделка: матовое олово (Sn)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ОДИН
Время
2 А, 600 В, 5 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, MOSFET, ТО-252АА, ТО-252, ДПАК-3
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: STMICROELECTRONICS
Код упаковки детали: TO-252AA
Описание упаковки: ТО-252, ДПАК-3
Количество контактов: 3
Производитель: STMicroelectronics
Рейтинг риска: 5.68
Рейтинг энергии лавин (EAS): 120 мДж
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 600 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 2 A
Максимальный ток стока (ID): 2 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 5 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JEDEC-95: TO-252AA
Код JESD-30: R-PSSO-G2
Код JESD-609: e3.
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 2
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 50 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 8 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Конечная отделка: матовое олово (Sn)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ОДИН
Время
2 А, 600 В, 5 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, MOSFET, ТО-252АА, ТО-252, ДПАК-3