#STD1HNC60 ST STD1HNC60 Nuevo 2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, TO-252AA, TO-252, DPAK-3, imágenes STD1HNC60, precio STD1HNC60, proveedor # STD1HNC60
-----------------------
Correo electrónico: [correo electrónico protegido]
-----------------------
Correo electrónico: [correo electrónico protegido]
https://www.slw-ele.com/std1hnc60.html
-----------------------
Número de pieza del fabricante: STD1HNC60
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Código del paquete de piezas: TO-252AA
Descripción del paquete: TO-252, DPAK-3
Recuento de pines: 3
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.68
Clasificación energética de avalancha (Eas): 120 mJ
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 600 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 2 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 2 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 5 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-252AA
Código JESD-30: R-PSSO-G2
Código JESD-609: e3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 2
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 50 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 8 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño mate (Sn)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: SOLO
Horario
2A, 600V, 5ohm, N-CANAL, Si, POTENCIA, mosfet, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Código del paquete de piezas: TO-252AA
Descripción del paquete: TO-252, DPAK-3
Recuento de pines: 3
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.68
Clasificación energética de avalancha (Eas): 120 mJ
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 600 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 2 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 2 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 5 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-252AA
Código JESD-30: R-PSSO-G2
Código JESD-609: e3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 2
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 50 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 8 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño mate (Sn)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: SOLO
Horario
2A, 600V, 5ohm, N-CANAL, Si, POTENCIA, mosfet, TO-252AA, TO-252, DPAK-3