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Vorstellung des Toshiba MG75Q2YS42, ein Hochleistungs-N-Kanal-Insulated-Gate-Bipolar Transistor (IGBT) Modulen speziell für Hochleistungsschalt- und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt.
Mit einem maximalen Kollektorstrom von 75A und Kollektor-Emitter Spannung Mit einer Spannung von 1200 V bietet der MG75Q2YS42 robuste Leistungsfähigkeiten für anspruchsvolle Industrieanwendungen.
Ein bemerkenswertes Merkmal dieses Moduls ist der Einbau einer ultraweichen Fast-Recovery-Diode (USFD), die zur Geräuschreduzierung beiträgt und die Gesamtleistung verbessert. Darüber hinaus verfügt das Modul über einen isolierten Kühlkörper (Klemme zum Sockel), der die Sicherheit während des Betriebs gewährleistet.
Die ABSOLUT MAXIMALEN LEISTUNGEN für den MG75Q2YS42 umfassen eine Kollektorverlustleistung von 560 W und einen breiten Sperrschichttemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C, was den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen ermöglicht.
Dieses Modul bietet eine Isolierung Spannung von 2500 VRMS (AC 1 Minute) und verfügt über Schraubklemmen mit einem Drehmoment von 3/3 Nm, was sichere und zuverlässige Verbindungen ermöglicht.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass es sich beim Toshiba MG75Q2YS42 um eine leistungsstarke Schalt- und Motorsteuerung handelt IGBT Modul, das Hochgeschwindigkeitsleistung mit niedriger Sättigungsspannung kombiniert. Die eingebaute ultraweiche Diode mit schneller Wiederherstellung reduziert Geräusche und der isolierte Kühlkörper erhöht die Sicherheit. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und seinem robusten Design ist es eine ausgezeichnete Wahl für verschiedene Motorsteuerungsanwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern.