#SIHF22N60E-E3 VISHAY SIHF22N60E-E3 Neuer Power-Feldeffekt Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-220AB, ROHS-KONFORM, TO-220, FULLPAK-3, SIHF22N60E-E3 Bilder, SIHF22N60E-E3 Preis, #SIHF22N60E-E3 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/sihf22n60e-e3.html
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Manufacturer Part Number: SIHF22N60E-E3
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Ihs Hersteller: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
Hersteller: Vishay Intertechnologies
Risikorang: 1.09
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 367 mJ
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 600 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 21 A
Drainstrom-Max (ID): 21 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.18 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 227 W.
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 56 A
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-220AB, ROHS-KONFORM, TO-220, FULLPAK-3
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Ihs Hersteller: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
Hersteller: Vishay Intertechnologies
Risikorang: 1.09
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 367 mJ
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 600 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 21 A
Drainstrom-Max (ID): 21 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.18 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 227 W.
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 56 A
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-220AB, ROHS-KONFORM, TO-220, FULLPAK-3