#SIHF22N60E-E3 VISHAY SIHF22N60E-E3 Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 21A I (D), 600V, 0.18ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, FULLPAK-3, imágenes SIHF22N60E-E3, precio SIHF22N60E-E3, proveedor # SIHF22N60E-E3
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sihf22n60e-e3.html
-----------------------
Manufacturer Part Number: SIHF22N60E-E3
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Fabricante: Vishay Intertechnologies
Rango de riesgo: 1.09
Clasificación energética de avalancha (Eas): 367 mJ
Conexión de la caja: AISLADO
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 600 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 21 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 21 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.18 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 227 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 56 A
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 21A I (D), 600V, 0.18ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-220AB, CUMPLE CON ROHS, TO-220, FULLPAK-3
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Fabricante: Vishay Intertechnologies
Rango de riesgo: 1.09
Clasificación energética de avalancha (Eas): 367 mJ
Conexión de la caja: AISLADO
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 600 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 21 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 21 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.18 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 227 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 56 A
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 21A I (D), 600V, 0.18ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-220AB, CUMPLE CON ROHS, TO-220, FULLPAK-3