#SIHF22N60E-E3 VISHAY SIHF22N60E-E3 Nuovo effetto di campo di potenza Transistor, 21A I(D), 600 V, 0.18 ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-220AB, CONFORME ROHS, TO-220, FULLPAK-3, immagini SIHF22N60E-E3, prezzo SIHF22N60E-E3, fornitore #SIHF22N60E-E3
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/sihf22n60e-e3.html
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Manufacturer Part Number: SIHF22N60E-E3
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Produttore: Vishay Intertechnologies
Grado di rischio: 1.09
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 367 mJ
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 600 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 21 A
Scarico corrente-max (ID): 21 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.18 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JEDEC-95: TO-220AB
Codice JESD-30: R-PSFM-T3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 227 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 56 A
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
Transistor ad effetto di campo di potenza, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-220AB, CONFORME A ROHS, TO-220, FULLPAK-3
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Produttore: Vishay Intertechnologies
Grado di rischio: 1.09
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 367 mJ
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 600 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 21 A
Scarico corrente-max (ID): 21 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.18 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JEDEC-95: TO-220AB
Codice JESD-30: R-PSFM-T3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 227 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 56 A
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
Transistor ad effetto di campo di potenza, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-220AB, CONFORME A ROHS, TO-220, FULLPAK-3