#SIHF22N60E-E3 VISHAY SIHF22N60E-E3 Новый силовой полевой эффект Транзистор, 21A I (D), 600 В, 0.18 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, оксид металла Полупроводниковое FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, FULLPAK-3, фотографии SIHF22N60E-E3, цена SIHF22N60E-E3, # SIHF22N60E-E3 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sihf22n60e-e3.html
-----------------------
Номер детали производителя: SIHF22N60E-E3
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: активный
Производитель IHS: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА, R-PSFM-T3
Производитель: Vishay Intertechnologies
Рейтинг риска: 1.09
Рейтинг энергии лавин (EAS): 367 мДж
Подключение кейса: ИЗОЛИРОВАННОЕ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 600 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 21 A
Максимальный ток стока (ID): 21 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.18 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JEDEC-95: TO-220AB
Код JESD-30: R-PSFM-T3
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 3
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 227 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 56 A
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: НЕТ
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Конечное положение: ОДИН
Время
Силовой полевой транзистор, 21 А, I (D), 600 В, 0.18 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксид Полупроводниковое FET, TO-220AB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, TO-220, FULLPAK-3
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: активный
Производитель IHS: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА, R-PSFM-T3
Производитель: Vishay Intertechnologies
Рейтинг риска: 1.09
Рейтинг энергии лавин (EAS): 367 мДж
Подключение кейса: ИЗОЛИРОВАННОЕ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 600 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 21 A
Максимальный ток стока (ID): 21 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.18 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JEDEC-95: TO-220AB
Код JESD-30: R-PSFM-T3
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 3
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 227 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 56 A
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: НЕТ
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Конечное положение: ОДИН
Время
Силовой полевой транзистор, 21 А, I (D), 600 В, 0.18 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксид Полупроводниковое FET, TO-220AB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, TO-220, FULLPAK-3