#SIHF22N60E-E3 VISHAY SIHF22N60E-E3 새로운 전력 전계 효과 트랜지스터, 21A I (D), 600V, 0.18ohm, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-220AB, ROHS 준수, TO-220, FULLPAK-3, SIHF22N60E-E3 사진, SIHF22N60E-E3 가격, #SIHF22N60E-E3 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/sihf22n60e-e3.html
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제조업체 부품 번호: SIHF22N60E-E3
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
패키지 설명 : FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
제조업체 : Vishay Intertechnologies
위험 순위 : 1.09
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 367mJ
케이스 연결 : 절연
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 600V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 21A
최대 드레인 전류 (ID) : 21A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.18 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JEDEC-95 코드 : TO-220AB
JESD-30 코드 : R-PSFM-T3
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : FLANGE MOUNT
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 227W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 56A
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : NO
터미널 형태 : THROUGH-HOLE
터미널 위치 : 단일
Time
전력 전계 효과 트랜지스터, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1소자, N-채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-220AB, ROHS 준수, TO-220, FULLPAK-3
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
패키지 설명 : FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
제조업체 : Vishay Intertechnologies
위험 순위 : 1.09
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 367mJ
케이스 연결 : 절연
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 600V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 21A
최대 드레인 전류 (ID) : 21A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.18 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JEDEC-95 코드 : TO-220AB
JESD-30 코드 : R-PSFM-T3
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : FLANGE MOUNT
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 227W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 56A
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : NO
터미널 형태 : THROUGH-HOLE
터미널 위치 : 단일
Time
전력 전계 효과 트랜지스터, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1소자, N-채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-220AB, ROHS 준수, TO-220, FULLPAK-3