#SIHF22N60E-E3 VISHAY SIHF22N60E-E3 Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 21 A I(D), 600 V, 0.18 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, CONFORME ROHS, TO-220, FULLPAK-3, photos SIHF22N60E-E3, prix SIHF22N60E-E3, fournisseur #SIHF22N60E-E3
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sihf22n60e-e3.html
-----------------------
Numéro de pièce du fabricant: SIHF22N60E-E3
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant IHS: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Fabricant: Vishay Intertechnologies
Classement de risque: 1.09
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 367 mJ
Connexion du boîtier: ISOLÉ
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 600 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 21 A
Courant de drain-Max (ID): 21 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.18 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 227 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 56 A
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, CONFORME ROHS, TO-220, FULLPAK-3
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant IHS: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Fabricant: Vishay Intertechnologies
Classement de risque: 1.09
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 367 mJ
Connexion du boîtier: ISOLÉ
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 600 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 21 A
Courant de drain-Max (ID): 21 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.18 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 227 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 56 A
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, CONFORME ROHS, TO-220, FULLPAK-3